锴威特:苏州锴威特半导体股份有限公司2025年半年度报告

公司代码：688693 公司简称：锴威特
苏州锴威特半导体股份有限公司
2025 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本半年度报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”
之“四、风险因素”部分的相关内容，请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人（会计主管人员）刘娟娟声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者关注投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标......6
第三节 管理层讨论与分析......9
第四节 公司治理、环境和社会......29
第五节 重要事项......31
第六节 股份变动及股东情况......68
第七节 债券相关情况......73
第八节 财务报告......74
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
备查文件目录 财务报表
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
锴威特、公司、本公司 指 苏州锴威特半导体股份有限公司
港晨芯 指 苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）
港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司
甘化科工 指 广东甘化科工股份有限公司，深圳证券交易所上市公司，股票代码
000576
国经众明 指 无锡国经众明投资企业（有限合伙）
新工邦盛 指 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业（有限合伙）
邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业（有限合伙）
邦盛聚源 指 南京邦盛聚源创业投资合伙企业（有限合伙）
禾望投资 指 深圳市禾望投资有限公司，系深圳市禾望电气股份有限公司（上海
证券交易所上市公司，股票代码 603063）全资子公司
悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司
华泰创新 指 华泰创新投资有限公司
创芯投资 指 苏州创芯投资有限公司，公司全资子公司
西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司，公司全资子公司
陆巡科技 指 深圳陆巡科技有限公司，公司参股子公司
众享科技 指 无锡众享科技有限公司，公司控股子公司
上海锴威 指 上海锴威半导体有限公司，公司控股子公司
报告期、本报告期 指 2025 年 01 月 01 日至 2025 年 06 月 30 日
上年同期、2024 年同期 指 2024 年 01 月 01 日至 2024 年 06 月 30 日
报告期初 指 2025 年 01 月 01 日
报告期末 指 2025 年 6 月 30 日
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料
半导体 指 有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，
在商业应用上最具有影响力的一种
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个电
IC、集成电路、芯片 指 路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，
制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个
管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
半导体分立器件。与集成电路相对的，采用特殊的半导体制备工艺，
分立器件、半导体分立 指 实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中
器件 实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括
功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等
功率器件、半导体功率 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控
器件 指 制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间
的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
二极管 指 全称为半导体二极管，是一种具有正向导通、反向截止功能特性的
半导体分立器件
三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET 、 功 率 指 MOS 管，是金属（Metal）—氧化物（Oxid）—半导体（Semiconductor）
MOSFET 或 MOS 场效应晶体管，属于电压控制型器件
平面 MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的 MOSFET 产品
Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间
SOI 指 引入了一层埋氧化层，SOI 材料具有了体硅所无法比拟的优点：可
以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅 CMOS 电路

中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路具有寄生电容
小、集成密度高、速度快、漏电小等优势
BCD 工艺 指 一种结合了 BJT、CMOS 和 DMOS 的单片 IC 制造工艺
沟槽型 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损
耗等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相互
超结 MOSFET 指 耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导
通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
IP 指 Intellectual Property 的缩写，即知识产权
IP 核 指 知识产权模块，在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功能
模块
FRMOS、集成快恢复高 在平面 MOSFET 中集成快恢复功率二极管的一种功率器件，可大
压功率 MOSFET 指 幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性，属于平面
MOSFET 的一种细分产品
Pulse Width Modulation，脉宽调制，是一种模拟控制方式，根据相
PWM 指 应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS 管栅极的偏置，来实现晶
体管或 MOS 管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改
变
AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法
谐振电路（Resonant Converters），由开关网络（全桥或半桥）、电
LLC 指 感（以字母 L 表示）、电容（以字母 C 表示）等元器件构成，LLC
由于实现了软开关，有效降低了开关损耗，提高了电源效率，适用
于高频、高功率密度设计
DC-DC 指 直流变换器，可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
指 Graphic Data System 格式的文件，半导体芯片设计中一般指用于
GDS 文件 指 芯片流片的工业标准数据文件，其中记录了芯片的各图层、图层内
的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据
BMS 指 Battery Management System，电池管理系统
POE 指 以太网供电
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，
功率模块、模块 指 形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制
能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片
IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装测
试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司
Fabless 指 无晶圆生产的经营模式，指企业只从事芯