华泰联合证券有限责任公司关于拉普拉斯新能源科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市之上市保荐书

华泰联合证券有限责任公司
关于拉普拉斯新能源科技股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市
之
上市保荐书
保荐人（主承销商）
（深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路128号前海深港基金小镇B7栋401）
目 录

目 录 ...... 1
一、发行人基本情况 ...... 2
（一）发行人概况 ...... 2
（二）发行人的主营业务、核心技术和研发水平...... 3
（三）发行人主要经营和财务数据及指标...... 10
（四）发行人主要风险提示 ...... 10
二、申请上市股票的发行情况...... 10
三、保荐人工作人员及其保荐业务执业情况、联系方式 ...... 14
四、保荐人及其关联方与发行人及其关联方之间是否存在关联关系情况说明 ...... 15
五、保荐人承诺事项 ...... 16六、保荐人关于发行人是否已就本次证券发行上市履行了《公司法》《证券法》和中国证监
会及上海证券交易所规定的决策程序的说明......17
七、保荐人针对发行人是否符合板块定位及国家产业政策的依据及核查情况 ...... 17
（一）公司符合科创板行业领域要求...... 17
（二）公司符合科创属性的要求 ...... 18八、保荐人关于发行人是否符合《上海证券交易所股票上市规则》《上海证券交易所科创板
股票上市规则》规定的上市条件的说明......20
（一）符合《证券法》、中国证监会规定的发行条件...... 20
（二）发行后股本总额不低于 3,000 万元...... 25
（三）公开发行的股份达到公司股份总数的 25%以上；公司股本总额超过 4 亿元的，
公开发行股份的比例为 10%以上 ...... 25
（四）市值及财务指标符合《上市规则》规定的标准...... 25
九、保荐人关于发行人证券上市后持续督导工作的具体安排 ...... 26
十、其他说明事项 ...... 27
十一、保荐人对发行人本次股票上市的保荐结论 ...... 27
华泰联合证券有限责任公司关于
拉普拉斯新能源科技股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市
之上市保荐书
上海证券交易所：
作为拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“发行人”、“公司”、“拉普拉斯”）首次公开发行股票并在科创板上市的保荐人，华泰联合证券有限责任公司（以下简称“华泰联合证券”、“保荐人”）及其保荐代表人已根据《中华人民共和国公司法》（以下简称《公司法》）、《中华人民共和国证券法》（以下简称《证券法》）等法律法规和中国证券监督管理委员会（以下简称中国证监会）及贵所的有关规定，诚实守信，勤勉尽责，严格按照依法制定的业务规则和行业自律规范出具上市保荐书，并保证所出具文件真实、准确、完整。
现将有关情况报告如下：
一、发行人基本情况
（一）发行人概况
1、公司名称：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
2、注册地址：深圳市坪山区坑梓街道吉康路 1 号
3、有限公司设立日期：2016 年 5 月 9 日
4、股份公司成立日期：2022 年 11 月 24 日
5、注册资本：36,479.3570 万元
6、法定代表人：林佳继
7、联系方式：0755-89899959

8、业务范围：一般经营项目是：新能源、储能、光伏、半导体和航空航天所需先进材料、高端装备，以及配套自动化和配件的研发、制造，销售和租赁（不配备操作人员的机械设备租赁，不包括金融租赁活动）；分布式光伏发电开发和利用。与上述先进材料，高端装备，分布式发电系统和太阳能产品相关的技术咨询，技术开发，技术服务，技术转让以及合同能源管理；机电设备的销售、安装、维修；销售太阳能光伏产品及配件；国内贸易（不含专营、专卖、专控商品）；经营进出口业务。（以上各项涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；劳务服务（不含劳务派遣）；租赁服务（不含许可类租赁服务）。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：新能源相关产品、装备、材料、系统的生产。
（二）发行人的主营业务、核心技术和研发水平
1、主营业务
拉普拉斯是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。其中热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备等；镀膜设备主要包括 LPCVD和 PECVD 设备等；自动化设备为可以有效提升工艺设备生产效率的配套上下料设备；公司半导体分立器件设备主要包括氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列具有比较优势的产品；公司配套产品及服务是公司根据客户的需求为销售的设备适配相应零部件及提供改造服务，属于公司设备产品所产生的延伸需求。
公司是国家级专精特新“小巨人”，并荣获第二十三届及第二十四届中国专利优秀奖、广东省工程技术研究中心等荣誉。
（1）光伏电池片领域
降本增效是推动光伏产业不断发展的内在牵引力，其中以提升光电转换效率为目标的光伏电池片技术变革是推动降本增效的关键举措之一。2015 年至 2020
年，光伏电池片经历了 BSF 到 PERC 的应用技术迭代；2021 年以来，以 TOPCon、
XBC、HJT 为代表的新型高效光伏电池片技术开始逐步进入规模化应用阶段。在
光伏电池片技术的变革过程中，设备是支撑工艺和产能落地的基础和核心，新设备技术需要均衡成本、性能等核心要素，因此设备厂商需要与下游客户紧密配合，根据新的工艺特点提供兼顾成本、效率的系统性解决方案，具有较高的技术和产品壁垒。
公司持续聚焦高效光伏电池片高性能热制程和镀膜等关键核心工艺设备，凭借对行业变革和客户需求深刻的理解、优秀的技术研发团队，在高效光伏电池片核心工艺设备方面已建立起核心竞争优势，产品受到了下游行业领先企业的广泛认可，并实现大规模量产和出货。
在光伏电池片核心工艺设备方面，拉普拉斯利用核心技术应用，通过不断创新持续满足下游客户的多项需求，包括：①使用气态硼源，结合低压氛围、高温等特点攻克工艺难题，率先实现硼扩散设备规模化量产和应用，突破 N 型电池片量产工艺瓶颈；②率先实现光伏级大产能 LPCVD 大规模量产，可高质量满足高效光伏电池片隧穿氧化及掺杂多晶硅层制备的工艺需求；③自研水平放片工艺，有效提升产能，满足大硅片、薄硅片的生产需求，降低成本；④自主设计和生产核心零部件热场，创造性地进行非对称设计，实现精准控温，提高光伏电池
片效率和良率，并提升设备可靠性等。2020 年及 2022 年，公司 PECVD 设备和
LPCVD 设备分别入选深圳市“首台套重大技术装备扶持计划”；2022 年，公司LPCVD 设备入选江苏省“首台（套）重大装备”。凭借具有优势的核心技术、对客户需求的深层次了解以及稳定可靠的产品品质，公司的光伏电池片工艺设备已进入包括隆基绿能（601012.SH）、晶科能源（688223.SH）、爱旭股份（600732.SH）、钧达股份（002865.SZ）、中来股份（300393.SZ）、横店东磁（002056.SZ）、正泰新能、合盛硅业（603260.SH）、协鑫集成（002506.SZ）、林洋能源（601222.SH）等众多光伏行业内领先企业，形成了规模化的交付数量和营业收入。公司将根据行业发展趋势和下游客户需求，持续巩固并开发优质客户，持续积累技术和产品创新能力，为光伏行业持续降本增效，为中国光伏产业保持全球领先，作出更多的努力。
（2）半导体分立器件领域
公司凭借技术积累，并结合市场客户的需求，开始逐步进入半导体分立器件
设备领域，形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列具有比较优势的产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。
在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于 SiC 基半导体器件生产工艺；公司 LPCVD 设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。
随着产品和技术的不断成熟，公司半导体分立器件设备已完成向比亚迪、基本半导体的导入工作，并持续进行潜在优质客户的拓展。
2、核心技术及研发水平
发行人依靠自主研发，并在生产实践和验证中不断完善和提高工艺技术水平。截至本上市保荐书出具日，发行人共拥有 8 项核心技术，均为自主研发所得且已经在公司的产品中得到产业化应用，具体情况如下表所示：
序 核心技术名称 技术来源 对应发明专利情况 产业化应用
号 阶段
1 创新低压水平硼扩散技术 自主研发 已授权 6 项发明专利 大批量生产
2 光伏级大产能 LPCVD 技术 自主研发 已授权 5 项发明专利 大批量生产
3 加热及温度控制技术 自主研发 已授权 2 项发明专利 大批量生产
4 高温气相反应的硅片横置技术 自主研发 已授权 5 项发明专利 大批量生产
5 匀流技术与气体精准控制技术 自主研发 已授权 1 项发明专利 大批量生产
6 新型石英管涂层技术 自主研发 暂无 大批量生产
7 第三代半导体超高温氧化退火技术 自主研发 已授权 1 项发明专利 小批量生产
8 高效、智能自动上下料技术 自主研发 已授权 5 项发明专利 大批量生产
（1）创新低压水平硼扩散技术
N 型光伏电池片具有高转换效率、低衰减率、弱光效应好和低温度系数等优势，但是，N 型硅片需要在硅片表面扩散硼元素以达到形成 PN 结的目的，而硼扩散设备一直是困扰 N 型光伏电池片量产的难题，所以最早大规模量产的单晶硅电池是 P 型的 PERC。
硼原子相对于其拟扩散进入的衬底硅原子而言，原子质量较小，对硅原子的替代需要更高的能量，硼扩散工艺相对于磷扩散需要的温度更高（由 850℃上升
至 1050℃左右），且扩散时间长，工艺难度大，设备维护费用高。行业内原有工艺采用三溴化硼作为扩散硼源，通过氮气携源的方式通入设备，其通入状态为小液滴，在扩散过程中，容易造成硼源在硅片表面分布不均匀，导致形成的 PN结不均匀，同时产生的副产物为粘稠状物质，设备需要频繁维护，稼动率低，运营成本极高，难以实现大规模量产，主要用于研发。
公司创新开发低压水平硼扩散技术，很好地解决了前述技术瓶颈：①采用三氯化硼作为扩散硼源，在一定温度下通过饱和蒸汽压的方式通入设备，通入状态为气态，扩散过程中硼源在硅片表面分布均匀，形成更均匀的 PN 结，解决 N 型电池 PN 结制备均匀性较差的难题；②使用气态三氯化硼作为掺杂源，与传统三溴化硼液态源硼扩散相比，在设备营造的特殊反应氛围下，副产物为粉末状的氧化硼，石英管寿命长、维护费用低、运营成本低。公司的创新低压水平硼扩散技术推动了 N 型光伏电池片实现量产落地，并先后 10 余次帮助晶科能源、隆基绿能及中来股份打破 TOPCon 光伏电池片转换效率的世界纪录。
（2）光伏级大产能 LPCVD