晶盛机电(300316):英伟达新一代GPU有望采用碳化硅中介层,SiC衬底新应用打开公司成长空间-事件点评

#核心观点：1、英伟达计划在2027年新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层。2、英伟达高阶GPU均采用CoWoS封装技术，该技术通过高密度堆叠芯片提升性能和能效，但功率增大导致散热需求更高。3、碳化硅具有高热导率（490 W/m·K，比硅高2-3倍）和更好耐化学性，可制备更高深宽比通孔，提升散热并缩小封装尺寸。4、碳化硅新应用带来增量市场，以H100为例，若替换碳化硅中介层，2024年出货的160万张H100对应76,190张衬底需求；2027年台积电推出7×光罩CoWoS，中介层面积增至1.44万mm2，衬底需求更多。5、晶盛机电已攻克12英寸碳化硅晶体生长技术难题，实现12英寸导电型碳化硅晶体生长，并积极扩产6和8寸衬底产能。

  

   #盈利预测与评级：维持公司2025-2027年归母净利润预测为10.1亿元、12.5亿元、15.4亿元，当前股价对应动态PE分别为46倍、37倍、30倍，考虑到公司多业务仍具备成长性，维持“买入”评级。

  

   #风险提示：碳化硅导入CoWoS工艺不及预期，技术研发不及预期。

  

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