通富微电(002156):通富通达/通富通科进展顺利,聚焦存储/先进封装

事件点评2024年9年20日,通富通科(南通)微电子有限公司Memory二期项目首台设备入驻仪式成功举行;子公司通富通达先进封测基地项目在南通市举行开工仪式。

   通富通科(南通)Memory二期项目首台设备入驻,存储器封测基地建设取得阶段性成果。通富通科Memory二期项目新增净化车间面积达到8000平米,引进国际最先进的封测工艺和设备,投入使用后可提供每月15万片晶圆生产的能力,有望在技术层面形成存储器封测领先水平。截止目前,通富通科项目累计投资约30亿元,累计产值达10亿元。同时,新增1.6亿元设备投资,主要是嵌入式FCCSP、uPOP等高端产品量产所需的关键设备,能够更好地满足手机、固态硬盘、服务器等领域对存储器高端产品的国产化需求。根据CFM数据,在存储原厂调整产能、控制供应、强势提价三大举措,以及科技企业的人工智能(AI)投资竞赛下,带动2024年全球存储市场规模涨幅将达64％至1,488亿美元。其中,NANDFlash市场规模有望增长70.6％至680亿美元;DRAM市场规模有望增长58.1％至808亿美元。根据CFM数据,由于智能手机容量增长,2024年手机应用消耗的NANDFlash产能将占比37％;而PC应用由于主要客户库存水位高,AIPC尚无法带来实质性销量增长,预计今年PC应用消耗的NANDFlash产能与去年基本持平;企业级应用方面,随着互联网厂商积极投入AI竞备建设以及企业级服务器今年迎来换机潮,需求表现相对亮眼,预计今年消耗NANDFlash产能约17％;2024年,服务器、PC、手机约消耗NA NDFlash产能的80％。

   通富通达先进封测基地开工,聚焦层堆叠/倒装/圆片级/面板级封装等先进封装。据根据未来半导体《2024中国先进封装第三方市场调研报告》显示,通富通达先进封测基地项目,建设主体为通富通达(南通)微电子有限公司,成立于2023年3月,该项目总投资75亿元,其中设备投资30亿元,拟新建研发、生产、办公及配套用房,规划建设汽车电子、5G、高性能计算等封测产线,项目全部达产后,预计年产集成电路先进封装产品211200万块,年销售额不低于57亿元(其中前期投资12亿,预计2026年7月竣工,总建筑面积约6.6万平方米)。通富通达先进封测基地项目建成后将主要涉足通讯、存储器、算力等应用领域,重点聚焦于多层堆叠、倒装、圆片级、面板级封装等国家重点鼓励和支持的集成电路封装产品。

   在先进封装布局方面,公司面向高端处理器等产品领域持续投入,进一步加大研发力度,布局更高品质、更高性能、更先进的封装平台,全方位配合海内外客户的发展需求,拓展先进封装产业版图,为新一轮的需求及业务增长夯实基础,带动公司在先进封装产品领域的业绩成长。2024年上半年,公司对大尺寸多芯片Chiplet封装技术升级,针对大尺寸多芯片Chiplet封装特点,新开发了Cornerfill、CPB等工艺,增强对chip的保护,芯片可靠性得到进一步提升。公司启动基于玻璃芯基板和玻璃转接板的FCBGA芯片封装技术,开发面向光电通信、消费电子、人工智能等领域对高性能芯片的需求。此项技术有助于推动高互联密度、优良高频电学特性、高可靠性芯片封装技术的发展,目前已完成初步验证。Power方面,公司上半年完成了Easy3B模块的研发,开始进入小批量量产,国内首家采用Cu底板灌胶模块,应用于太阳能逆变器,相对于市场传统的Easy1B、2B模块,能更有效的降低系统的热阻及功耗。2024年上半年,公司16层芯片堆叠封装产品大批量出货,合格率居业内领先水平;国内首家WB分腔屏蔽技术、Plasmadicing技术进入量产阶段。

   投资建议:我们维持原有业绩预期。预计2024年至2026年营业收入分别为252.80/292.31/345.60亿元,增速分别为13.5％/15.6％/18.2％;归母净利润分别为9.57/12.05/16.13亿元,增速分别为465.0％/25.9％/33.8％;PE分别为28.9/23.0/17.2。考虑到通富微电在xPU领域产品技术积累,且公司持续推进5nm、4nm、3nm新品研发,凭借FCBGA、Chiplet等先进封装技术优势,不断强化与AMD等客户深度合作,叠加AI/大模型在手机/PC/汽车等多领域渗透有望带动先进封装需求提升。维持"买入-A"评级。

   风险提示:行业与市场波动风险;国际贸易摩擦风险;人工智能发展不及预期;新技术、新工艺、新产品、新项目无法如期产业化风险;主要原材料供应及价格变动风险;资产折旧预期偏差风险;依赖大客户风险。