拓荆科技:2024年年度报告摘要

公司代码：688072 公司简称：拓荆科技
拓荆科技股份有限公司
2024 年年度报告摘要

第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在本报告中详细阐述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本扣除回购专用证券账户中股份后的股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.70元（含税）。截至2025年3月31日，公司总股本为279,729,118股，扣除公司回购专用证券账户中的1,267,894股后的股份为278,461,224股，以此计算合计拟派发现金红利75,184,530.48元（含税），不进行资本公积转增股本，不送红股。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为10.93%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.93%。
如在实施权益分派的股权登记日前，公司总股本发生变动，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。
公司第二届董事会第十五次会议和第二届监事会第十四次会议审议通过了《关于公司2024年度利润分配方案的议案》，并同意将上述议案提交至公司2024年年度股东大会审议，经批准后实施。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 拓荆科技 688072 不适用
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 赵曦 刘锡婷
联系地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
电话 024-24188000-8089 024-24188000-8089
传真 024-24188000-8080 024-24188000-8080
电子信箱 Dongban@piotech.cn ir@piotech.cn
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已实现产业化应用。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，业务规模逐步扩大。公司产品情况如下：
（1）PECVD 系列产品
① PECVD 产品

主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
PF-300T eX
PF-300T Plus eX 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进
封装等领域已实现产业化应用，可以沉积
SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、
BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料，以及
LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ACHM、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、
HTN、a-Si 等先进介质薄膜材料，可实现 8
英寸与 12 英寸 PECVD 设备兼容，在客户
端具有高产能、低生产成本优势。
PF-300T Plus pX
PF-300T Plus
Supra-D
PF-300M Supra-D

主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制
PF-300T Bianca 造领域，可以在晶圆背面沉积 SiN、SiO2等
介质薄膜材料，实现对晶圆翘曲的纠正以及
晶圆背面的保护。
主要应用于集成电路存储芯片制造、三维集
NF-300H 成领域，适用于沉积较厚的薄膜，如 Thick
TEOS 和超厚 SiO2介质材料薄膜。
主要应用于集成电路存储芯片制造领域，适
NF-300M Supra-H 用于多层氧化硅和氮化硅叠层（Stack）介质
材料薄膜。
在新型功率器件领域已实现产业化应用，可
PF-150T 以沉积 SiC 器件制造中的 SiO2、SiN、TEOS、
PF-200T SiON 等介质材料薄膜。
② UV Cure 产品
主要产品型号 产品图片 应用领域

在集成电路芯片制造领域已实现产业化应
PF-300T 用。该设备可以与 PECVD 成套使用，为
Upsilon PECVD HTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外
线固化处理。
（2）ALD 系列产品
① PE-ALD 产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
Astra
在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封装
NF-300H 领域已实现产业化应用，可以沉积高温、低
Astra 温、高质量的 SiO2、SiN、SiCO 等介质薄
膜材料。
VS-300T
Astra-s

② Thermal-ALD 产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
Altair
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制
造领域，已实现产业化应用，可以沉积
Al2O3、AlN 等金属及金属化合物薄膜材料。
TS-300
Altair
（3）SACVD 系列产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T SA
广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
制造领域，可以沉积 SA TEOS、SA BPSG、
SAF（包括等离子体处理优化的 SAF）等介
质薄膜材料，可实现 8 英寸