甬矽电子(688362):深入布局多维异构研发及产业化,带动尖端先进封装技术与产能双增

事件点评

   2024年5月27日,甬矽电子发布《向不特定对象发行可转换公司债券方案的募集资金使用的可行性分析报告》,拟募集资金总额不超过12亿元用于多维异构先进封装技术研发及产业化项目及补充流动资金及偿还银行借款。

   拟使用9亿元用于多维异构先进封装技术研发及产业化项目,达产后形成相关先进封装9万片/年产能。多维异构先进封装技术研发及产业化项目总投资额为14.64亿元,拟使用募集资金投资额为9亿元。届时将购置临时健合设备、机械研磨设备、化学研磨机、干法刻硅机、化学气相沉积机、晶圆级模压机、倒装贴片机、助焊剂清洗机、全自动磨片机等先进的研发试验及封测生产设备,同时引进行业内高精尖技术、生产人才,建设与公司发展战略相适应的研发平台及先进封装产线。项目建成后,公司将开展"晶圆级重构封装技术(RWLP)"、"多层布线连接技术(HCOS-OR)"、"高铜柱连接技术(HCOS-OT)"、"硅通孔连接板技术(HCOS-SI)"和"硅通孔连接板技术(HCOS-AI)"等方向的研发及产业化,并在完全达产后形成年封测扇出型封装(Fan-out)系列和2.5D/3D系列等多维异构先进封装产品9万片的生产能力。本项目的实施将进一步深化公司在先进封装领域的业务布局,持续提升公司核心竞争力。

   多维异构封装为突破晶圆制程桎梏重要途径,在高算力芯片领域优势显著。长期以来,主流系统级单芯片都是将多个负责不同计算任务的计算单元,通过光刻形式制作到同一片晶粒上。然而,随着晶圆制程先进度的提升,系统级单芯片的实施成本大幅上升,另一方面,先进制程芯片的良率随着晶粒面积增加而大幅下降,根据模型估算,面积150mm2的中大型晶粒的良率约为80％,而700mm2以上的超大型晶粒的良率只有30％左右。故小芯片组技术(Chiplet)成为集成电路行业突破晶圆制程桎梏重要技术方案。同将全部功能集中在一颗晶粒上相反,Chiplet方案是将大型系统级单芯片划分为多个功能相同或者不同的小晶粒,每颗晶粒都可以选择与其性能相适应的晶圆制程,再通过多维异构封装技术实现晶粒之间互联,在降低成本的同时获得更高的集成度。因此,多维异构封装技术是实现Chiplet的技术基石,其主要包括硅通孔技术(TSV)、扇出型封装(Fan-Out)、2.5D/3D封装等核心技术。在高算力芯片领域,采用多维异构封装技术的Chiplet方案具有显著优势:1)Chiplet缩小了单颗晶粒的面积,提升整体良率、降低生产成本,同时降低高算力芯片对先进晶圆制程的依赖;2)采用Chiplet方案的算力芯片升级时可只升级核心晶粒,非核心部分沿用上一代设计,大幅缩短芯片开发周 期;3)Chiplet可以采用同质扩展的方式,通过对计算核心"堆料"的方式,迅速突破芯片面积限制,达到更高算力。

   数据中心/汽车/AI带动芯片需求持续上涨,带动芯片封装新增量。在集成电路芯片应用市场,高算力应用芯片如高性能服务器(HPC)和自动驾驶(ADAS)已逐渐取代手机和个人电脑,成为下个阶段半导体行业持续增长的主要驱动力。以台积电为例,其2024Q1销售收入中,智能手机类产品占比38％,高性能服务器(HPC)类产品占比46％。一方面,随着计算机大数据和云计算应用渗透率的提升,我国数据中心发展迅速。2018年我国在用数据中心机架规模为226万架,大型以上规模为167万架;2022年我国在用数据中心机架规模扩大至670万架,其中大型以上规模增长至540万架,复合增长率均超过30％,大型以上占比为80％。另一方面,大模型和生成式人工智能的发展显著拉动高算力服务器市场增长。随着ChatGPT、Sora等生成式人工智能在技术上实现突破,国内外互联网头部企业及研究机构纷纷宣布在生成式人工智能领域进行产业布局,生成式人工智能和大模型已成为智能算力芯片市场最重要增长点。以ChatGPT模型为例,GPT-3大型模型所需训练参数量为1,750亿,算力消耗为3640PF-days(即每秒运算一千万次,运行3,640天),需要至少1万片GPU提供支撑。根据IDC预测,全球人工智能硬件市场(服务器)规模将从2022年的195亿美元增长到2026年的347亿美元,五年年复合增长率 达17.3％;我国2023年人工智能服务器市场规模达到91亿美元,同比增长82.5％,2027年将达到134亿美元,五年年复合增长率达21.8％。

   投资建议:鉴于当前半导体市场复苏进度,我们调整对公司原有业绩预期。预计2024年至2026年营业收入由原来的28.08/35.20/42.18亿元调整为30.23/35.47/42.52亿元,增速分别为26.5％/17.3％/19.9％;归母净利润由原来的0.12/1.64/3.15亿元调整为0.20/1.66/3.17亿元,增速分别为121.7％/721.6/90.6％。

   考虑到甬矽电子"Bumping+CP+FC+FT"的一站式交付能力形成,二期项目产能逐步释放/下游客户群及应用领域不断扩大,叠加包括中国台湾地区头部IC设计公司拓展取得重要突破,盈利能力有望改善。维持"增持-A"建议。

   风险提示:下游终端需求不及预期;行业与市场波动风险;国际贸易摩擦风险;新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险;主要原材料供应及价格变动风险等。