东芯股份(688110):计提存货减值影响利润,有望受益存储价格回升

事件:公司发布2023年三季度业绩报告,2023年前三季度公司实现营收3.71亿元,同比下降60.84％;实现归母净利润-1.46亿元,同比下降153.96％;实现扣非净利润-1.57亿元,同比下降161.58％。分季度看,公司2023年Q3实现营收1.31亿元,同比下降43.81％,环比增长13.54％;实现归母净利润-0.71亿元,同比下降226.13％,环比亏损增大;实现扣非净利润-0.76亿元,同比下降268.61％,环比亏损增大。

   需求平淡影响业绩,计提存货减值影响利润:2023年Q3,公司营收同比下降,主要系市场景气度下降,产品市场价格下滑。2023年Q3,公司毛利率为7.53％,同比减少22.74pcts,环比减少0.84pct;净利率为-53.00％,同比减少81.60pcts,环比减少20.12pcts。Q3净利率同比环比均下降,主要系:1.公司营收和毛利率水平同比大幅下降,2.公司财务费用增加,去年同期受美元升值影响汇兑收益较大,3.公司研发费用增长,4.公司计提存货跌价减值2842.44万元。费用端:2023年Q3销售/管理/研发/财务费用率分别为5.57％/12.75％/32.73％/-6.70％,同期变动分别为+3.50/+6.18/+20.40/+10.64pcts。公司研发费用率同比提升,主要系本期随着研发项目的新增和现有项目的展开,研发人员、加工服务费等均较去年同期大幅增加。

   产品矩阵持续完善,加码研发赋能未来增长:公司持续加大研发投入,NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片产品技术"护城河"持续拓宽。NANDFlash产品方面,公司基于2xnm制程上持续开发新产品,不断扩充SLCNANDFlash产品线,各项新产品陆续进入研发设计、首次晶圆流片、晶圆测试、样品送样等阶段;先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成晶圆制造及功能性验证,正在进行晶圆测试及工艺调整。NORFlash产品方面,公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发,目前,512Mb、1Gb大容量NORFlash产品方面已有样品完成可靠性验证;同时,55nm制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段。DRAM产品方面,公司将不断丰富DRAM自研产品组合,提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。关于车规产品,目前公司的NANDFlash及NORFlash均有产品通过AEC-Q100的测试,公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品,扩大车规级产品线的丰富度。

   国产替代大有可为,产品价格受益存储涨价有望改善:大宗存储产品大部分以PC和手机等大消费产品为主,公司的存储产品以网络通信、可穿戴设备以及工业控制等为主要应用领域。根据IrendForce集邦咨询报道显示,三大IDM厂均已启动减产,三星、美光、SK海力士2023年第二季稼动率环比普遍下修。随着海外大厂逐步退出利基市场,国产厂商迎来发展机遇,中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。近年来本士厂商持续加大研发投入,竞争实力不断增强。未来随着市场景气度的回升和需求的逐渐恢复,国产替代趋势的日益加强,从全球范围来看,中国市场仍有较大机会。公司表示:大宗存储的原厂通过减产的方式试图使价格回升,目前确实看到价格恢复的迹象;大宗产品和利基产品价格的周期性规律并不完全相同,但大宗价格回暖对于整个存储市场信心的恢复具有积极的作用。据TrendForce集邦咨询研究显示,2023年第四季度,MobileDRAM合约价季涨幅预估将扩大至13～18％;NANDFlash方面,eMMC、UFS合约价涨幅约10～15％。公司表示,公司涉及的存储芯片产品价格处在底部企稳的状态,公司预计随着未来下游需求的复苏,产品价格将逐步好转,公司存货情况有望进一步改善。随着大数据时代的向前推进,元宇宙、自动驾驶、人工智能等 数据密集型应用技术不断涌现,有望引领数据存储浪潮。

   下调盈利预测,维持"增持"评级:公司聚焦存储芯片行业,以SLCNANDFlash产品作为业绩增长点,并持续对NORFlash、DRAM进行制程与容量的升级。

   未来随着存储市场需求逐渐恢复,国产替代趋势日益加强,公司的SLCNAND产品有望为业绩增长注入全新动能。受市场景气度下降的影响,我们下调盈利预测,预估公司2023年-2025年归母净利润为-0.79亿元、0.83亿元、2.66亿元,EPS分别为-0.18元/股、0.19元/股、0.60元/股,24-25年的PE分别为182X、57X。

   风险提示:市场竞争风险、下游需求不及预期、技术开发和迭代升级风险、市场竞争加剧